這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來(lái)的14A 1.4nm級(jí)工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。

目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

其中，Intel 3作為升級(jí)版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì)，最多288個(gè)。

Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)正在順利推進(jìn)中，分別相當(dāng)于2nm、1.8nm，將繼續(xù)采用EUV技術(shù)，并應(yīng)用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。

憑借它們兩個(gè)，Intel希望能在2025年重奪制程領(lǐng)先性。

之后，Intel將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術(shù)，推進(jìn)未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)和制造，以鞏固領(lǐng)先性。

其中一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)就是High NA EUV技術(shù)，而數(shù)值孔徑（NA）正是衡量收集和集中光線能力的指標(biāo)。

通過升級(jí)將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統(tǒng)，High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，Intel 14A 1.4nm級(jí)就將采用High NA EUV光刻技術(shù)。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管，在集成High NA EUV光刻技術(shù)的同時(shí)，Intel也在同步開發(fā)新的晶體管結(jié)構(gòu)，并改進(jìn)工藝步驟，如通過PowerVia背面供電技術(shù)減少步驟、簡(jiǎn)化流程。

此外，Intel還公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的數(shù)個(gè)演化版本，以幫助客戶開發(fā)和交付符合其特定需求的產(chǎn)品。

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